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对于可控硅选型方法，具体介绍。

一.功率器件的损坏与否，取决于电流的热效应，而热效应与电流的有效值相关。因此电路设计中，可控硅电流的选择，必须依据电流的有效值(IT(RMS))，而不能依据平均值（ITAV）。
1.IT(RMS)*K（K为保险系数，阻性负载一般为2~5）
2.IT(RMS)*K（K为保险系数，感性性负载一般为4~7）

二、可控硅正反向电压（耐压）的选取
生产的可控硅电压范围：
（1）、单向可控硅：6400V~1800V；2、双向可控硅：400V~1800V。
一般我们知道，民用单相全电压范围是在90~265V之间。而可控硅的正反向断态重复峰值电压（VDRM/VRRM）与输入电压呈正比关系，通常情况下，可控硅的耐压是输入电压的3倍，最小不得小于2倍。
例如：中国的市电输入是220V±10%，以标准有效值220V电压来选取，功率器件在选耐压时取其平均值，而市电平均值约为200V为基准，那么耐压就是选取200V*3=600V。
而以全电压最大值265V为基准，那么耐压就是选取265V*3=800V。
故我司生产的可控硅耐压能满足各种民用电器设备使用。
工业三相电压范围是在380V（-5%~﹢10%），因为波动较大，可以分三段即360、380、420为例:360*3=1000V；380*3=1200V；420*3=1200V。考虑到某些应用场合可控硅在关断和打开瞬间有一个反向电动势产生，所以在采用电压波动比较大，外界环境比较复杂的三相电时留有余量，可以考虑选择1600V或者1800V以上耐压的可控硅。

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