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设计单向可控硅线路注意V/I特性

当在单向可控硅的正负主极之间外加反向电压时，此时无论G极是否施加何种极性的触发电流，单向可控硅始终处于截止状态，这种状态我们称之为反向阻断。如果外加电压大于单向可控硅的反向重复峰值电压（VRRM），达到击穿电压VBR时，此时的单向可控硅就与反向击穿下的二极管相同，处于热击穿状态，如果引起过热，单向可控硅同样会被永久破坏。