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可控硅应用设计中注意限制电流上升率di/dt的保护

可控硅导通瞬间，电流上升率di/dt很大，当电流还来不及扩大到可控硅内部结的全部面积时，门极附近已出现局部过热而造成的损坏。电路中的电容量越大，di/dt也就越大。为此，在整流或者逆变电路中都要考虑限制di/dt的问题。

整流电路中如有变压器，其漏感虽对di/dt有一定的限制作用，但若变压器二次侧所接的RC吸收电路阻抗值过小或元件相并联时，可控硅仍有可能在换流期间因di/dt过大而损坏。为此可在每只可控硅元件上串入电感L，以限制di/dt＜10A/μs。

限制电感L的选择：

1、一般电路：

L=U2m/10（μH）

式中：U2m—加于可控硅正向电压峰值，即变压器二次电压峰值（V）。

2、逆变电路：

50A以上的可控硅，L最好采用饱和电抗器，使限流电感在小电流时可限制di/dt＜10A/μs，而在最大电流时，铁心饱和，其电感量能满足在关闭可控硅正向电流到零后，可在2μs内使反向电流等于正向电流幅值。饱和电抗器的电感量为

最大电流时

L=U2m/IT(μH)

最小电流时

L=U2m/10(μH)

式中：IT—可控硅通态平均电流（A）。

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