东莞市环昕微实业有限公司用QT2Q型晶体管特性图示仪测试可控硅晶闸管参数步骤如下:
1 仪器与测试治具的连接
1.1 用五根两头带插头的一端分别插入 QT2 型图示仪面板上的左下端的 E、C、B 和标有二极管符号“+”、“-”插孔内,并保持接触良好。另一端分别接测试治具上标有“E、C、B”和“高压”相应的插孔内。注意:图示仪上的“E、B、C”应与测试治具上的“E、C、B”一一对应,“+”对应测试治具上的“高压”红端子或左边端子;“-”对应测试治具“高压”黑端子或右边端子。3.2 将 Y 轴旋钮旋到“100uA”。将 X 轴旋钮选到“100V”位置;“功耗限制电阻”旋到“10K”位置;“阶梯信号”组的“作用”开关打到“关”位置,“幅度/级”选择开关旋到“20 uA”位置;按下“3000V输出电压”选择开关,旋动“峰值电压”旋钮,使水平方向的光标成一水平横线,其值为 700V 左右。
3.3 将需要测试的器件插入相应的两孔测试插座内。
3.4 示波器上会显示出一条先是水平,然后向下转折的一条曲线。其转折点所对应的 X 轴坐标值×100V 即为一反向击穿电压值。
3.5 按下测试治具上的开关,示波器上所显示的波形会发生变化,变成一条水平直线和一条起始点的竖直直线。水平直线所对应的 X 轴坐标值×100V 即为另一反向击穿电压。
3.6 取步骤 3.4、3.5 的最低电压,即为可控硅的反向击穿电压。
3.7 击穿电压的分类和判别方法:
4 可控硅漏电流的测试
4.1 将 Y 轴、X 轴“方式”选择开关都打向“测量”位置。此时光标应为一条水平横线在中线上。
4.2 将 Y 轴旋钮旋到“10uA”。将 X 轴旋钮选到“100V”位置;“功耗限制电阻”旋到“10K”位置;“阶梯信号”组的“作用”开关打到“关”位置,“幅度/级”选择开关旋到“20 uA”位置;按下“3000V输出电压”选择开关,旋动“峰值电压”旋钮,使水平方向的光标成一水平曲线,曲线的 X 轴坐标值×100V为该档电压下限值。调节 Y 轴“移位”旋钮使曲线右端的尖点在中心水平线上。
4.3 将需要测试的器件插入相应的两孔测试插座内。
4.4 示波器上所显示出曲线会有所变化。右端的尖峰会向下弯曲。其弯曲值每格为 10uA。即为该器件的漏电流值。
4.5 电流的分类和判别方法:
5 可控硅触发电流的测试
5.1 将 Y 轴旋钮旋到“20mA”。将 X 轴旋钮选到“外接”位置;“功耗限制电阻”旋到“100Ω”位置;“阶梯信号”组的“作用”开关打到“正常”位置,“级/秒”开关打到“200”;“级/族”旋钮旋到最大;“幅度/级”选择开关旋到“10 uA”(151 为“1mA”)位置;按下“10V 输出电压”选择开关;左下角测试开关打向“测试 A”;由下角“测试选择”开关打到“NPN”;“常态/倒置”开关打到“常态”。此时,示波器上的波形应为十个触发脉冲波。
5.2 将需要测试的器件插入相应的两孔测试插座内。示波器上的波形会发生变化:前面的触发脉冲会向 X 轴方向的右边拉开;同时脉冲的幅度加大。
5.3 触发电流的大小判别方法为:第一条竖线与第二条竖线 X 轴方向的宽度格数ד幅度/级”选择开关的位置值。如果不好判别时,允许将“幅度/级”选择开关的档位打小,以便更精确读取度数。
6 饱和压降
X 轴、Y 轴“方式”选择开关打到“⊥”位置。旋动 Y 轴“移位”旋钮使光标移到最下面水平线上;旋动 X 轴“移位”旋钮使光标移到 X 轴第二条标尺线上。
6.2 将 Y 轴旋钮旋到“200mA”。将 X 轴旋钮选到“200mV”位置;“功耗限制电阻”旋到“2~5Ω”位置;“阶梯信号”组的“作用”开关打到“正常”位置,“级/秒”开关打到“200”;“级/族”旋钮旋到最
大;“幅度/级”选择开关旋到“20 uA”(151 为“1mA”)位置;按下“50V 输出电压”选择开关;左下角测试开关打向“测试 A”;由下角“测试选择”开关打到“NPN”;“常态/倒置”开关打到“常态”。
6.3 将所要测试的器件插到相应的测试插座内。示波器上将显示出一条开始平后向上弯曲的曲线。
6.4 数值的读取方法:(曲线最上端所处的竖线格数-起始格数)×200mV÷1000 即位饱和压降值。
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